案件番号 T08-040
発明の名称 反平行結合膜構造体、トンネル磁気抵抗素子および磁気デバイス
発明者 東北大学 大兼 幹彦 助教(工学研究科)
発明の説明 従来、反平行結合膜は強磁性体/非磁性体/強磁性体の金属三層構造が基本構造であり、二枚の強磁性体の磁化がある非磁性体の膜厚で反平行に向くように交換結合が働く。半導体回路やメモリ素子となるトンネル磁気抵抗素子の性能を向上させるためには、反平行結合膜に400℃程度の熱処理プロセスが必要となる。しかし、従来の反平行結合膜では、熱処理耐性温度は300℃〜350℃が限界であり、充分な温度における熱処理をすることができなかった。そこで、本発明は、高い熱処理を施しても、強い反平行結合を維持した反平行結合膜の構造に関するものである。
図面等

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