案件番号 T11-013
発明の名称 超臨界流体を用いた化学物半導体膜の製造方法
発明者 多元物質研究所(本間 格、笘居 高明)
発明の説明 太陽電池材料として近年実用化されたCuInSe2薄膜において、従来技術ではCu,Inのセレン化プロセスにおいては、きわめて毒性の高いH2Seを利用した300~400℃程度のプロセスが主流である。一方、比較的無害な有機金属セレンを用いた場合500℃程度の高温を必要としている現状である。本発明は、セレン化プロセスを300℃といった低温で、かつ、有害なH2Seガスを使用しない方法に関する。

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