案件番号 T11-015
発明の名称 量子ナノドット、二次元量子ナノドットアレイ及びこれを用いた半導体装置並びに製造方法
発明者 流体科学研究所(寒川 誠二)
発明の説明  太陽電池の種類は、Si単結晶、Si薄膜型、CdTeなどの化合物型、など多岐の種類が存在しているのが現状である。その中で、単結晶型Si型太陽電池は変換効率が最も高く20%前後を達成しているものの、変換効率の割にSiの使用量が多いため高価であるといった課題があった。また、近年ではシュミレーション上では量子ドットを利用した太陽電池のコンセプトはあるものの、具体的に作製できる技術が無く、実現が切望されている状態である。
 本発明は、理論的には変換効率50%程度以上まで引き上げる事が可能な技術として有望な”量子ドット”を利用した太陽電池に関するものであり、新規な微小Siディスクを作製することに成功した。これにより、変換効率を現状より飛躍的に上げる事が可能である。

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