案件番号 T10-036
発明の名称 シリコン―ゲルマニウム膜およびシリコン―ゲルマニウム膜の製造方法
発明者 多元物質研究所(渡辺 明)
発明の説明 従来、シリコン微粒子を原料として塗布方法でシリコン系半導体薄膜形成に関する技術は、シリコン微粒子表面を有機基で修飾することによって、シリコン微粒子ペーストを作成し、製膜する方法や、シリコン微粒子と環状シラン化合物(シクロペンタシラン)との組成物を製膜する提案があるが、得られる半導体の特性が悪く、不活性ガス下でのプロセスが必要で有るなどの問題点があった。そこで本発明は、大気中で製膜が可能な、低コストのシリコン系半導体薄膜形成方法を提案する。

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