遷移金属カルコゲナイドナノチューブ

高配向で長尺な遷移金属カルコゲナイドナノチューブ

概要

　遷移金属カルコゲナイドナノチューブ(TMDNT)は次世代の半導体材料としてトランジスタのチャネルへの応用、光電子デバイス、高感度センサ、高性能触媒への応用という観点を中心に近年注目されており国内外で研究開発が進められている。
　しかしながら従来の一般的な合成法では、均一性・配向性・長尺化に課題が残っており、期待されるような特性が得られていないというのが現状である。
　そこで本発明では格子ミスマッチが小さい結晶を基板とし、そこにTMDNTの前駆体をエピタキシャル成長させた後に硫化することで、均一性と配向性が高く、長尺のTMDNTを作成することに成功した。本発明のTMDNTを応用することで次世代の半導体材料やセンサー、触媒に応用することが期待できる。

背景と発明の効果

応用例

・光センサー、半導体用材料
・触媒材料

知的財産データ

知財関連番号　： 出願未公開
発明者　　　　： 蓬田　陽平、太田　裕道、長島　一樹、岡　沙雪、姚　鴻運、端山　恵菜
技術キーワード： ナノチューブ、センサー、触媒、WS2、MoS2、TMD、遷移金属ダイカルコゲナイド