磁界検出素子および磁界検出装置

一瞬の磁界変化をとらえ、温度変化や位置変化を記憶可能です。

概要

　磁性記憶素子を用いた装置には、ハードディスク（ＨＤＤ）、磁気記憶メモリー（ＭＲＡＭ）、磁気記録媒体、磁気光学素子（ＭＯ）などがあるが、これらの記憶素子は、磁気モーメントの２極性に起因したオン（１）、オフ（０）の２値状態での記憶や再生を行うものである。 これに対して、オン、オフ、リセット（再生時に自動消去等）の３値状態を記憶する素子も開発されているものの、薄膜積層構造を用いた複雑な素子構造を必要としたり、複雑な電気制御回路を付加して実現している。　
　本発明は、簡単な素子構造で、＋１，０、－１の３値状態を記憶できる新しい磁界検出素子であり、事象記憶型磁気スイッチ、３値記憶素子、又は、再生時に自動消去する記憶素子など、従来にない磁気記憶素子を提供できる。

３値状態の磁区構造

効果・応用例

　・温度変化による磁界変化する素子を利用すれば、0.1℃の精度で温度変化を記憶するセンサー。　
　・位置変化を磁界変化により記憶することで、封が開けていない事を証明可能なパッケージ。
　・製造・検査ラインでの異物（磁性体）の通過を見逃さない、異物検査装置やセンサー。
　・ドア、窓、陳列ケース等に適用すれば、一瞬の衝撃や移動を見逃さないセキュリティ用記憶センサー。

知的財産データ

知財関連番号　： 特許5540180
発明者　　　　： 石山　和志
技術キーワード： 制御、計測、機械