位置制御可能な遷移金属ダイカルコゲナイドの合成方法

サイズのばらつきを抑え、単結晶の合成が可能

概要

　遷移金属ダイカルコゲナイド（Transition Metal Dichalcogenide、以下「 TMD 」）は原子オーダーの厚みを持つ原子層物質でり、可視光領域にバンドギャップを持ち半導体特性を有する。従来の合成方法としては気相成長法（CVD）により基板上のランダムな位置にTMDを合成するものがある。TMDを各種デバイスに適用するためには、合成位置の制御が必要不可欠となるが、従来の合成方法では合成位置の制御ができないという課題があった。また、合成位置の制御が可能な合成方法が提案されているが、多結晶性を有するTMDが合成され、各種デバイスへの適用が不利となっていた。　　
　本発明は上記課題を解決し、微小凸部を成長核として、単結晶TMDまたはヘテロ接合TMDを位置制御して合成でき、さらにサイズのばらつきを抑えられる単結晶TMDの合成方法を提供することが可能となった。

効果・応用例

単結晶ＴＭＤまたはヘテロ接合ＴＭＤを位置制御して合成

・半導体として電子素子材料への応用　
・ＴＭＤの各種デバイスへの適用
・次世代半導体デバイス材料
・ショットキー型太陽電池

関連文献

[1] Sci. Rep. 11 (2021) 22285
[2] Sci. Rep. 9 (2019) 12958

知的財産データ

知財関連番号　： 特許6660203
発明者　　　　： 加藤　俊顕、金子　俊郎
技術キーワード： 遷移金属ダイカルコゲナイド、TMD、太陽電池、次世代、半導体、CVD、合成位置制御、巨大単結晶