高TMR素子用CO系磁性合金

B無添加・低温熱処理・スパッタ製膜でTMR比200%以上

概要

　トンネル磁気抵抗(TMR)効果を示すTMR素子は、磁気センサや不揮発性メモリ等の製品に応用されている。素子抵抗の変化率を表すTMR比は素子性能指標の一つであり、それら応用製品の仕様を左右する重要な特性である。 アモルファスFeCoB磁性合金とMgOトンネルバリアを用いたTMR素子は現在主流の材料系で、大量生産に適したスパッタリング法で作製できる。素子を熱処理した際にBが拡散することでFeCo／MgO結晶素子となり、200～600%のTMR比を示す優れた材料である。しかし、熱処理によって拡散したBは、FeCoに隣接する他の層の機能性を低下する要因にもなる。　
　本発明は、Bを添加せずとも、低温熱処理でFeCoBと同程度のTMR比を発現するCo系磁性不規則合金の技術を提供する。

B無添加でTMR比200%以上　

応用例

・磁気抵抗素子を用いた応用製品　一般　
・磁気抵抗メモリ（MRAMなど）

関連文献

[1] Kunimatsu et al., Appl. Phys. Express 13, 083007 (2020).
[2] Suzuki et al., Appl. Phys. Lett. 118, 172412 (2021).

知的財産データ

知財関連番号　： 国際公開番号　WO2020/246553　　　　　
発明者　　　　： 水上　成美、土屋　朋生、一ノ瀬　智浩、國松　和眞
技術キーワード： エレクトロニクス、情報・通信（ハードウエア）