基板のバックグラウンド情報が検出されず導電性付与加工も不要な、微小粒子の結晶構造解析方法

微小粒子研究者の困難を解消するEBSDサンプルホルダーが実現可能に！

概要

　ナノテクノロジーが目覚ましい発展を見せているなか、微小金属粒子の結晶構造を明らかにすることは、その特性を知るうえで重要となっている。金属の結晶構造解析は、走査型電子顕微鏡による電子後方散乱回折（EBSD）法を利用した測定が好ましい。
　従来のEBSD法を用いた結晶構造解析方法では、導電性基板上に試料を配置したり、表面に導電性コーティングを施した樹脂に試料を埋め込んだりして観察試料を作製している。しかし、サブミクロン程度の微小金属粒子を試料とした場合、導電性基板からの回折がバックグラウンドとなるため対象試料からの回折を分離することができなかったり、十分なシグナル強度を得ようと長時間電子線を照射することにより樹脂の熱変形に起因した像のドリフトが起こったりするという課題があった。
　本発明は、非晶質合金を基板に用いることで上記課題を解決した、微小金属粒子の結晶構造解析方法に関するものである。

バックグラウンドが写らない測定が可能に

応用例

・微小金属粒子用EBSDサンプルホルダー　
・微小金属粒子結晶構造解析サービス

知的財産データ

知財関連番号　： 特許第6883167号
発明者　　　　： 中村　貴宏、真柄　英之、福田　泰行、真壁　英一
技術キーワード： 材料