n型SnS薄膜、及びそれを用いた太陽電池

無害、高効率、薄く軽量な光電変換薄膜材料

概要

　SnS(硫化スズ)を用いた薄膜太陽電池は以下特徴がある
・Cd、Teのような有害元素を含まない
・安価な元素(Sn及びS)のみで構成される(原料コストはシリコン系の1/7、CdTeの1/2、CIGSの1/14)
・2-3μmの厚さで光吸収が可能(シリコン系~500µm)
　しかしながら高効率のホモp-n接合を有するSnS太陽電池を実現するためには、技術的に作製出来なかったn型のSnS薄膜の実現が必要であった。
　本発明は今まで作製出来なかったn型SnS薄膜を世界で初めて実現したものであり、またそれを用いた太陽電池に関するものである。

性能・特徴等

応用例

・太陽電池、フォトディテクター

関連文献

[1] Issei Suzuki et al 2022 J. Phys. Energy 4 042002

知的財産データ

知財関連番号　： 国際出願番号 PCT/JP2021/017400
発明者　　　　： 鈴木　一誓、川西　咲子、柳　博
技術キーワード： Harmless、high-efficient、thin、andlight、low-costSolarcell 、World'sfirstn-typeSnSthinfilm