T2層状ナノシート

従来技術に比して、低コストで高品質な層状MoS₂、層状グラファイトが作成可能です。

概要

　低消費電⼒・新機能性を持つ次世代ナノデバイスへの出口としてMoS₂が注目されている。現在の作成方法は、イオンを挿⼊し層間 距離を広げ剥離する⼿法であるインターカレーションを用いる方法や、薄膜成分を含む原料ガスを供給し基板表 ⾯に膜を堆積する⼿法である化学気相蒸着（ＣＶＤ）法が存在するが、前者は低品質であり、後者は高価で生産性が低いといった課題があった。
　本発明は、上記課題を解決する低コストで、層間の残留物が少なく、配向性が高いといった高品質な新規層状ナノシートの作製方法に関する。
　層状ナノシートの作製例は、MoS₂、グラファイトであるが、それ以外の層状ナノシートも作製可能である。

性能・特徴等

未公開のため秘密保持条項を含む、技術移転にかかる契約
※締結の上、開示可能です。
※オプション契約、学術指導契約、共同研究契約、等

応用例

・電流のオン/オフ比が極めて高い次世代半導体材料
・潤滑剤
・電池電極材、等

知的財産データ

知財関連番号　： 国際出願番号PCT/JP2022/032879
発明者　　　　： 林　大和、滝澤　博胤、石井　大悟、江波戸　優介、澤口　京佑
技術キーワード： nano、nanosheet、MoS₂、graphite