単結晶の窒化アルミニウム種晶

低温・ 温度制御が容易・大きい成長速度でALN種晶を作製可能

概要

　深紫外発光素子(DUV-LED)はAlGaN系窒化物半導体から作製される。そのAlGaN系DUV-LEDの基板材料には、AlGaNとの高い格子整合性、AlGaNよりも広いバンドギャップ、および高い熱伝導率が求められ、それらの条件を満たす窒化アルミニウム（AlN）が注目されている。
　AlN単結晶作製の従来法として昇華法があるが、高温を必要とするためコストが高く、また温度制御が難しいという課題がある。
　本技術を用いれば、低温かつ温度制御が容易な条件で、比較的大きい速度で単結晶のAlN種晶を作製することができる。
　また本技術は、同発明者らによるAlN単結晶の液相成長法と組み合わせることで、本技術で作製した種晶上に、AlN結晶を成長させることで、AlNバルク材料を作製することが期待される。

配向性の高い単結晶のAlN種晶を作製可能

応用例

・AlGaN系窒化物半導体基板としてのAlN結晶　
・特にAlN on AlN基板の成長の起点となる種結晶の作製

関連文献

[1] 飴井千晃, 得地悠希, 安達正芳, 大塚誠, 福山博之, 日本金属学会2022年春季講演大会, 77.

知的財産データ

知財関連番号　： 特願2022-028039　　　
発明者　　　　： 安達　正芳、福山　博之、大塚　誠、得地　悠希、飴井　千晃
技術キーワード： 窒化アルミニウム、AlN、結晶成長、低温、低コスト、高い成長速度